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TPW4R008NH,L1Q Canal N Montaje en superficie 80V 116 A (Tc) 800 mW (Ta), 142 W (Tc) 8-DSOP avanzado
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.05000 $2.05
10 1.85600 $18.56
100 1.49130 $149.13
500 1.15990 $579.95
1,000 0.96107 $961.07

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TPW4R008NHL1QCT-ND
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Cantidad disponible 11,452
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TPW4R008NH,L1Q

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Descripción MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 116 A (Tc) 800 mW (Ta), 142 W (Tc) 8-DSOP avanzado

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Documentos y medios
Hojas de datos TPW4R008NH
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 116 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 59nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5300pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 800 mW (Ta), 142 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-DSOP avanzado
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TPW4R008NHL1QCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 11,452 - Inmediata
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12:31:04 11/14/2018