Agregar a favoritos
TPW4R008NH,L1Q Canal N Montaje en superficie 80V 116 A (Tc) 800 mW (Ta), 142 W (Tc) 8-DSOP avanzado
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TPW4R008NHL1QCT-ND
Copiar   TPW4R008NHL1QCT-ND
Cantidad disponible 11,552
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

TPW4R008NH,L1Q

Copiar   TPW4R008NH,L1Q
Descripción MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Copiar   MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 116 A (Tc) 800 mW (Ta), 142 W (Tc) 8-DSOP avanzado

Copiar   Canal N Montaje en superficie 80V 116 A (Tc) 800 mW (Ta), 142 W (Tc) 8-DSOP avanzado
Documentos y medios
Hojas de datos TPW4R008NH
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 116 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 59nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5300pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 800 mW (Ta), 142 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-DSOP avanzado
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • TPH2R608NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage | TPH2R608NHL1QCT-ND DigiKey Electronics
  • TPH2R608NH,L1Q
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
  • Precio unitario $1.99000
  • TPH2R608NHL1QCT-ND
  • TPH4R008NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage | TPH4R008NHL1QCT-ND DigiKey Electronics
  • TPH4R008NH,L1Q
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
  • Precio unitario $3.34000
  • TPH4R008NHL1QCT-ND
  • TPH4R50ANH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage | TPH4R50ANHL1QCT-ND DigiKey Electronics
  • TPH4R50ANH,L1Q
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
  • Precio unitario $3.34000
  • TPH4R50ANHL1QCT-ND
  • TPW4R50ANH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage | TPW4R50ANHL1QCT-ND DigiKey Electronics
  • TPW4R50ANH,L1Q
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
  • Precio unitario $2.00000
  • TPW4R50ANHL1QCT-ND
  • SIR680DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix | SIR680DP-T1-RE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SIR680DP-T1-RE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO
  • Precio unitario $2.73000
  • SIR680DP-T1-RE3CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TPW4R008NHL1QCT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.15000 $2.15
10 1.94000 $19.40
100 1.55910 $155.91
500 1.21264 $606.32
1,000 1.00475 $1,004.75

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TPW4R008NHL1QTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.87458
  • Digi-Reel® ? : TPW4R008NHL1QDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,552 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

17:18:24 9/24/2018