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TPW1R306PL,L1Q Canal N Montaje en superficie 60V 260 A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) 8-DSOP avanzado
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.65000 $2.65
10 2.38000 $23.80
25 2.25000 $56.25
100 1.80000 $180.00
250 1.70000 $425.00
500 1.60000 $800.00
1,000 1.37000 $1,370.00
2,500 1.35000 $3,375.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : TPW1R306PLL1QTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.23000
  • Digi-Reel®  : TPW1R306PLL1QDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,979 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

TPW1R306PL,L1Q

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key TPW1R306PLL1QCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante TPW1R306PL,L1Q
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Descripción X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 260 A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) 8-DSOP avanzado

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Documentos y medios
Hojas de datos TPW1R306PL Datasheet
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIX-H
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 260 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.29mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 91nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8100pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operación 175°C
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-DSOP avanzado
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres TPW1R306PLL1QCT