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TPN4R712MD,L1Q Canal P Montaje en superficie 20V 36 A (Tc) 42 W (Tc) 8-TSON avanzado (3.3x3.3)
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10 0.77300 $7.73
100 0.59650 $59.65
500 0.44188 $220.94
1,000 0.35350 $353.50

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TPN4R712MDL1QCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TPN4R712MD,L1Q

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Descripción MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 36 A (Tc) 42 W (Tc) 8-TSON avanzado (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos TPN4R712MD
Producto destacado UMOS-VI Series Power MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVI
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 36 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.7 mOhm a 18 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65nC @ 5V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4300pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 42 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSON avanzado (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TPN4R712MDL1QCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TPN4R712MDL1QTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 14,372 - Inmediata
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14:51:06 11/13/2018