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TPN3R704PL,L1Q Canal N Montaje en superficie 40V 80 A (Tc) 630 mW (Ta), 86 W (Tc) 8-TSON avanzado (3.3x3.3)
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Cantidad
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10 0.64600 $6.46
100 0.49860 $49.86
500 0.36936 $184.68
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TPN3R704PLL1QCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TPN3R704PL,L1Q

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Descripción MOSFET N-CH 40V 80A TSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 80 A (Tc) 630 mW (Ta), 86 W (Tc) 8-TSON avanzado (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos TPN3R704PL
Producto destacado 30 V and 40 V Ultra-High Efficiency MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIX-H
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.7 mOhm a 40 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 0.2 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2500pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 630 mW (Ta), 86 W (Tc)
Temperatura de operación 175 °C
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSON avanzado (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TPN3R704PLL1QCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TPN3R704PLL1QTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
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  • Cantidad disponible: 27,634 - Inmediata
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17:59:01 11/15/2018