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TPN1R603PL,L1Q Canal N Montaje en superficie 30V 80 A (Tc) 104 W (Tc) 8-TSON avanzado (3.3x3.3)
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10 1.32100 $13.21
100 1.04370 $104.37
500 0.80942 $404.71
1,000 0.63901 $639.01

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TPN1R603PLL1QCT-ND
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Cantidad disponible 7,097
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TPN1R603PL,L1Q

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Descripción X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 80 A (Tc) 104 W (Tc) 8-TSON avanzado (3.3x3.3)

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Documentos y medios
Hojas de datos TPN1R603PL
Producto destacado Ultra-High-Efficiency U-MOS IX-H MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIX-H
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 mOhm a 80 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 10 V a 10 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3900pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 104 W (Tc)
Temperatura de operación 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSON avanzado (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TPN1R603PLL1QCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TPN1R603PLL1QTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.55009
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,097 - Inmediata
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12:20:51 10/17/2018