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TPHR6503PL,L1Q Canal N Montaje en superficie 30V 150 A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.78000 $1.78
10 1.60300 $16.03
25 1.51240 $37.81
100 1.17980 $117.98
500 0.99826 $499.13
1,000 0.84700 $847.00
2,500 0.83490 $2,087.25

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : TPHR6503PLL1QTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.77440
  • Digi-Reel®  : TPHR6503PLL1QDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 5,899 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

TPHR6503PL,L1Q

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key TPHR6503PLL1QCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante TPHR6503PL,L1Q
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Descripción MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 150 A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)

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Documentos y medios
Hojas de datos TPHR6503PL
Producto destacado 30 V and 40 V Ultra-High Efficiency MOSFETs
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIX-H
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 150 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 0.65mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2.1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 110nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10000pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 175°C
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres TPHR6503PLL1QCT