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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TPH6400ENHL1QCT-ND
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Cantidad disponible 19,511
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TPH6400ENH,L1Q

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Descripción MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
Copiar   MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 13 A (Ta) 1.6 W (Ta), 57 W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)

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Documentos y medios
Hojas de datos TPH6400ENH
Producto destacado U-MOSⅧ-H MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 64 mOhm a 6.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 300 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11.2nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1100pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.6 W (Ta), 57 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Otros nombres TPH6400ENH,L1QCT
TPH6400ENH,L1QCT-ND
TPH6400ENHL1QCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TPH6400ENHL1QTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 19,511 - Inmediata
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21:09:15 1/22/2019