Agregar a favoritos
TPH2R608NH,L1Q Canal N Montaje en superficie 75V 150 A (Tc) 142 W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.90000 $1.90
10 1.68600 $16.86
100 1.33240 $133.24
500 1.03330 $516.65
1,000 0.81576 $815.76

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TPH2R608NHL1QCT-ND
Copiar   TPH2R608NHL1QCT-ND
Cantidad disponible 13,760
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

TPH2R608NH,L1Q

Copiar   TPH2R608NH,L1Q
Descripción MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
Copiar   MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 75V 150 A (Tc) 142 W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)

Copiar   Canal N Montaje en superficie 75V 150 A (Tc) 142 W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
Documentos y medios
Hojas de datos TPH2R608NH
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 150 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.6 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6000pF @ 37.5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 142 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • TPW4R008NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage | TPW4R008NHL1QCT-ND DigiKey Electronics
  • TPW4R008NH,L1Q
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
  • Precio unitario $2.05000
  • TPW4R008NHL1QCT-ND
  • TPW1R306PL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage | TPW1R306PLL1QCT-ND DigiKey Electronics
  • TPW1R306PL,L1Q
  • Toshiba Semiconductor and Storage
  • X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • Precio unitario $3.17000
  • TPW1R306PLL1QCT-ND
  • BK1005HS100-T - Taiyo Yuden | 587-1840-1-ND DigiKey Electronics
  • BK1005HS100-T
  • Taiyo Yuden
  • FERRITE BEAD 10 OHM 0402 1LN
  • Precio unitario $0.10000
  • 587-1840-1-ND
  • HIP4086ABZ - Renesas Electronics America Inc. | HIP4086ABZ-ND DigiKey Electronics
  • HIP4086ABZ
  • Renesas Electronics America Inc.
  • IC DRIVER 3-PHASE FET 24-SOIC
  • Precio unitario $6.25000
  • HIP4086ABZ-ND
  • ADP2303ARDZ-5.0-R7 - Analog Devices Inc. | ADP2303ARDZ-5.0-R7CT-ND DigiKey Electronics
  • ADP2303ARDZ-5.0-R7
  • Analog Devices Inc.
  • IC REG BUCK 5V 3A 8SOIC
  • Precio unitario $3.38000
  • ADP2303ARDZ-5.0-R7CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TPH2R608NHL1QCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TPH2R608NHL1QTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.70224
  • Digi-Reel® ? : TPH2R608NHL1QDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13,760 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

16:21:57 11/17/2018