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TPH2R608NH,L1Q Canal N Montaje en superficie 75V 150 A (Tc) 142 W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)
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10 1.53300 $15.33
100 1.21130 $121.13
500 0.93936 $469.68
1,000 0.74160 $741.60

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TPH2R608NHL1QCT-ND
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Cantidad disponible 979
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TPH2R608NH,L1Q

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Descripción MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 75V 150 A (Tc) 142 W (Tc) 8-SOP avanzado (5x5)

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Documentos y medios
Hojas de datos TPH2R608NH
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 150 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.6 mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6000pF @ 37.5V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 142 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP avanzado (5x5)
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TPH2R608NHL1QCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TPH2R608NHL1QTR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.67200
  • Digi-Reel® ? : TPH2R608NHL1QDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 979 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

22:33:50 3/23/2019