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TK7E80W,S1X Canal N Orificio pasante 800V 6.5 A (Ta) 110 W (Tc) TO-220
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1 3.17000 $3.17
50 2.55760 $127.88
100 2.30180 $230.18
500 1.79026 $895.13
1,000 1.48335 $1,483.35
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK7E80WS1X-ND
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Cantidad disponible 295
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK7E80W,S1X

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Descripción MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 6.5 A (Ta) 110 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos TK7E80W
Producto destacado Gen-4 Super-Junction MOSFET Series
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 950 mOhm a 3.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 280 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 700pF @ 300V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 110 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK7E80W,S1X(S
TK7E80WS1X

21:04:01 10/16/2018