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TK750A60F,S4X Canal N Orificio pasante 600V 10 A (Ta) 40 W (Tc) TO-220SIS
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.40000 $1.40
50 1.12120 $56.06
100 0.98100 $98.10
500 0.76076 $380.38
1,000 0.60060 $600.60
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK750A60FS4X-ND
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Cantidad disponible 374
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK750A60F,S4X

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Descripción PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 10 A (Ta) 40 W (Tc) TO-220SIS

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Documentos y medios
Hojas de datos TK750A60F
Producto destacado 600 V Planar Power MOSFET π-MOS IX Series
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIX
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 750 mOhm a 5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1130pF @ 300V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK750A60F,S4X(S
TK750A60FS4X
TK750A60FS4X(S

12:21:35 12/14/2018