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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK72A08N1S4X-ND
Cantidad disponible 713
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK72A08N1,S4X

Descripción MOSFET N-CH 75V 80A TO220SIS
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 75V 80 A (Ta) 45 W (Tc) TO-220SIS

Documentos y medios
Hojas de datos TK72A08N1
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 mOhm a 40 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 175nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8200pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK72A08N1,S4X(S
TK72A08N1,S4X-ND
TK72A08N1S4X
TK72A08N1S4X(S
TK72A08N1S4X(S-ND
TK72A08N1S4XS
TK80A08K3(Q)
TK80A08K3(Q,M)
TK80A08K3(QM)
TK80A08K3(QM)-ND
TK80A08K3Q
TK80A08K3Q-ND

01:08:08 8/17/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.57000 $2.57
50 2.07280 $103.64
100 1.86560 $186.56
500 1.45102 $725.51
1,000 1.20227 $1,202.27

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