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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK6A60DSTA4QM-ND
Cantidad disponible 2,332
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK6A60D(STA4,Q,M)

Descripción MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 6 A (Ta) 40 W (Tc) TO-220SIS

Documentos y medios
Hojas de datos TK6A60D
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie π-MOSVII
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 800pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.25 Ohm a 3 A, 10 V
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres TK6A60DSTA4QM

18:31:31 2/25/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.83000 $1.83
10 1.62000 $16.20
100 1.28010 $128.01
500 0.99276 $496.38
1,000 0.78375 $783.75

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