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TK62N60X,S1F Canal N Orificio pasante 600V 61.8 A (Ta) 400W (Tc) TO-247
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30 8.39467 $251.84
120 7.57575 $909.09
510 6.34725 $3,237.10
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK62N60XS1F-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK62N60X,S1F

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Descripción MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 61.8 A (Ta) 400W (Tc) TO-247

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Documentos y medios
Hojas de datos TK62N60X
Producto destacado DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSIV-H
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 61.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 40mOhm a 21A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 3.1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 135nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6500pF @ 300V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (máx.) 400W (Tc)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK62N60X,S1F(S
TK62N60XS1F

23:00:11 4/25/2019