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TK62J60W,S1VQ Canal N Orificio pasante 600V 61.8 A (Ta) 400 W (Tc) TO-3P(N)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK62J60WS1VQ-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK62J60W,S1VQ

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Descripción MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 61.8 A (Ta) 400 W (Tc) TO-3P(N)

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 61.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 38 mOhm a 30.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 3.1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 180nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6500pF @ 300V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (máx.) 400 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P(N)
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ

10:44:33 12/19/2018