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1 1.54000 $1.54
50 1.23200 $61.60
100 1.07800 $107.80
500 0.83600 $418.00
1,000 0.66000 $660.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK560A65YS4X-ND
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Cantidad disponible 185
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK560A65Y,S4X

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Descripción MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Copiar   MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 7 A (Tc) 30 W TO-220SIS

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Documentos y medios
Hojas de datos TK560A65Y
Producto destacado Fifth-Generation Deep Trench Process Super Junction MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 560 mOhm a 3.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 240 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 380pF @ 300V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 30 W
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK560A65Y,S4X(S
TK560A65YS4X
TK560A65YS4X(S

20:39:21 10/21/2018