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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK3R1A04PLS4X-ND
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Cantidad disponible 511
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK3R1A04PL,S4X

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Descripción X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 40V 82 A (Tc) 36 W (Tc) TO-220SIS

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Documentos y medios
Hojas de datos TK3R1A04PL
Producto destacado Ultra-High-Efficiency U-MOS IX-H MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIX-H
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 82 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.8 mOhm a 30 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4 V a 500 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 63.4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4670pF @ 20V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 36 W (Tc)
Temperatura de operación 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
Por lo general se compran juntos
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  • X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • Precio unitario $2.18000
  • TK4R3A06PLS4X-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK3R1A04PL,S4X(S
TK3R1A04PLS4X

22:29:10 12/15/2018