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TK39N60W5,S1VF Canal N Orificio pasante 600V 38.8 A (Ta) 270W (Tc) TO-247
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30 6.65233 $199.57
120 6.00325 $720.39
510 5.02975 $2,565.17
1,020 4.54300 $4,633.86
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK39N60W5S1VF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK39N60W5,S1VF

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Descripción MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 38.8 A (Ta) 270W (Tc) TO-247

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Documentos y medios
Hojas de datos TK39N60W5
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 74mOhm a 19.4A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 1.9mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 135nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4100pF @ 300V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 270W (Tc)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK39N60W5,S1VF(S
TK39N60W5S1VF

11:34:15 4/26/2019