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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK39J60W5S1VQ-ND
Cantidad disponible 218
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK39J60W5,S1VQ

Descripción MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 38.8 A (Ta) 270 W (Tc) TO-3P(N)

Documentos y medios
Hojas de datos TK39J60W5
Producto destacado DTMOSIV Superjunction MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 1.9 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 135nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4100pF @ 300V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (máx.) 270 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 65 mOhm a 19.4 A, 10 V
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P(N)
Paquete / Caja (carcasa) TO-3P-3, SC-65-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 25
Otros nombres TK39J60W5,S1VQ(O
TK39J60W5S1VQ

00:29:17 2/25/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 12.16000 $12.16
25 9.96720 $249.18
100 8.99470 $899.47
500 7.53610 $3,768.05

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