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TK31V60X,LQ Canal N Montaje en superficie 600V 30.8 A (Ta) 240 W (Tc) 4-DFN-EP (8x8)
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10 4.48600 $44.86
100 3.67820 $367.82
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK31V60XLQCT-ND
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Cantidad disponible 1,894
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK31V60X,LQ

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Descripción MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 30.8 A (Ta) 240 W (Tc) 4-DFN-EP (8x8)

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Documentos y medios
Hojas de datos TK31V60X
Producto destacado DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSIV-H
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 98 mOhm a 9.4A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 1.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 65nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3000pF @ 300V
Característica de FET Súper empalme
Disipación de potencia (máx.) 240 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 4-VSFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TK31V60XLQCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TK31V60XLQTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $2.43880
  • Digi-Reel® ? : TK31V60XLQDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,894 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

15:55:44 3/22/2019