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100 0.69500 $69.50
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK30A06N1S4X-ND
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Cantidad disponible 604
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK30A06N1,S4X

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Descripción MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 60V 30 A (Tc) 25 W (Tc) TO-220SIS

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Documentos y medios
Hojas de datos TK30A06N1
Producto destacado U-MOSⅧ-H MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 200 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1050pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS
  • Precio unitario $1.37000
  • TK40A06N1S4X-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK30A06N1,S4X(S
TK30A06N1,S4X-ND
TK30A06N1S4X

15:57:33 10/19/2018