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100 1.23750 $123.75
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK290A65YS4X-ND
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Cantidad disponible 50
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK290A65Y,S4X

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Descripción MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 11.5 A (Tc) 35 W (Tc) TO-220SIS

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Documentos y medios
Hojas de datos TK290A65Y
Producto destacado Fifth-Generation Deep Trench Process Super Junction MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 290 mOhm a 5.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 450 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 25nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 730pF @ 300V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
Por lo general se compran juntos
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  • Precio unitario $3.41000
  • 497-15270-5-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK290A65Y,S4X(S
TK290A65YS4X
TK290A65YS4X(S

02:04:18 12/14/2018