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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK28N65WS1F-ND
Cantidad disponible 130
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK28N65W,S1F

Descripción MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 27.6 A (Ta) 230 W (Tc) TO-247

Documentos y medios
Hojas de datos TK28N65W
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.6 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 75nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3000pF @ 300V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 230 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 110 mOhm a 13.8 A, 10 V
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK28N65W,S1F(S
TK28N65WS1F

13:05:50 2/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.28000 $6.28
30 5.04900 $151.47
120 4.60017 $552.02
510 3.72504 $1,899.77
1,020 3.14160 $3,204.43

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