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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK22E10N1S1X-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK22E10N1,S1X

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Descripción MOSFET N CH 100V 52A TO220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 52 A (Tc) 72 W (Tc) TO-220

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Documentos y medios
Hojas de datos TK22E10N1
Producto destacado U-MOSⅧ-H MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 52 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 13.8 mOhm a 11 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 300 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 72 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK22E10N1,S1X(S
TK22E10N1S1X

04:35:19 10/19/2018