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1 1.57000 $1.57
50 1.25360 $62.68
100 1.09690 $109.69
500 0.85064 $425.32
1,000 0.67155 $671.55
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK22A10N1S4X-ND
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Cantidad disponible 65
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK22A10N1,S4X

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Descripción MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
Copiar   MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 22 A (Tc) 30 W (Tc) TO-220SIS

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Documentos y medios
Hojas de datos TK22A10N1
Producto destacado U-MOSⅧ-H MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 13.8 mOhm a 11 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 300 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 30 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK22A10N1,S4X(S
TK22A10N1,S4X-ND
TK22A10N1S4X

03:29:25 10/22/2018