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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK20N60W5S1VF-ND
Cantidad disponible 135
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK20N60W5,S1VF

Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Ta) 165 W (Tc) TO-247

Documentos y medios
Hojas de datos TK20N60W5
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800pF @ 300V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 165 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 175 mOhm a 10 A, 10 V
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK20N60W5,S1VF(S
TK20N60W5S1VF

08:33:50 2/20/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.95000 $3.95
30 3.17300 $95.19
120 2.89092 $346.91
510 2.34094 $1,193.88
1,020 1.97428 $2,013.77

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