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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK20A60WS5VX-ND
Cantidad disponible 341
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK20A60W,S5VX

Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Ta) 45 W (Tc) TO-220SIS

Documentos y medios
Hojas de datos TK20A60W
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.7 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1680pF @ 300V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 155 mOhm a 10 A, 10 V
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
 
Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
TK25A60XS5X-ND TK25A60X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage Tubo ? 69 - Inmediata
$4.44000 1
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres ASTK20A60W,S5VX(M
TK20A60W,S5VX(M
TK20A60WS5VX

01:37:01 2/18/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.41000 $5.41
50 4.34360 $217.18
100 3.95750 $395.75

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