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10 4.91500 $49.15
25 4.64640 $116.16
100 3.71700 $371.70
250 3.51052 $877.63
500 3.30400 $1,652.00
1,000 2.82905 $2,829.05
2,500 2.78775 $6,969.38

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TK20A60U(Q,M)

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key TK20A60UQM-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante TK20A60U(Q,M)
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Descripción MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
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Plazo estándar del fabricante 52 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 20 A (Ta) 45W (Tc) TO-220SIS

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Documentos y medios
Hojas de datos TK20A60U
Mosfets Prod Guide
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSII
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1470pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45W (Tc)
Temperatura de operación 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3 paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar 50
Otros nombres TK20A60U(Q)
TK20A60UQ
TK20A60UQ-ND
TK20A60UQM