• Cotización solicitada, enviar cotización aquí.
  • Componente que nunca tenemos disponible; pedido especial con cantidad minima ?
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK16E60W5S1VX-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK16E60W5,S1VX

Descripción MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 15.8 A (Ta) 130 W (Tc) TO-220

Documentos y medios
Hojas de datos TK16E60W5
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15.8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 790 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350pF @ 300V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 230 mOhm a 7.9 A, 10 V
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK16E60W5,S1VX(S
TK16E60W5S1VX

01:05:52 2/24/2018

Enviar comentario