• Cotización solicitada, enviar cotización aquí.
  • Componente que nunca tenemos disponible; pedido especial con cantidad minima ?
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK15A60U(STA4QM)-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK15A60U(STA4,Q,M)

Descripción MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 15 A (Ta) 40 W (Tc) TO-220SIS

Documentos y medios
Hojas de datos TK15A60U
Mosfets Prod Guide
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSII
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 15 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 950pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 40 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 300 mOhm a 7.5 A, 10 V
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK15A60U(Q)
TK15A60U(Q,M)
TK15A60U(QM)
TK15A60U(QM)-ND
TK15A60U(STA4QM)
TK15A60UQ
TK15A60UQ-ND
TK15A60USTA4QM

22:33:26 2/18/2018

Enviar comentario