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TK14N65W,S1F Canal N Orificio pasante 650V 13.7 A (Ta) 130 W (Tc) TO-247
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1 3.40000 $3.40
30 2.73500 $82.05
120 2.49175 $299.01
510 2.01773 $1,029.04
1,020 1.70170 $1,735.73
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK14N65WS1F-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK14N65W,S1F

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Descripción MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 13.7 A (Ta) 130 W (Tc) TO-247

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Documentos y medios
Hojas de datos TK14N65W
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 690 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 300V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-247
  • Precio unitario $4.33000
  • TK14N65W5S1F-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres TK14N65W,S1F(S
TK14N65W,S1F-ND
TK14N65WS1F

17:30:37 10/20/2018