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TK14G65W,RQ Canal N Montaje en superficie 650V 13.7 A (Ta) 130 W (Tc) D2PAK
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.53000 $2.53
10 2.28400 $22.84
100 1.83550 $183.55
500 1.42758 $713.79
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK14G65WRQCT-ND
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Cantidad disponible 993
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK14G65W,RQ

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Descripción MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 650V 13.7 A (Ta) 130 W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos TK14G65W
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie DTMOSIV
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 690 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 300V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 130 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $3.34000
  • TK14G65W5RQCT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres TK14G65WRQCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : TK14G65WRQTR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $1.14840
  • Digi-Reel® ? : TK14G65WRQDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 993 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

14:54:19 10/19/2018