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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK12A50ES4X-ND
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Cantidad disponible 66
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TK12A50E,S4X

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Descripción MOSFET N-CH 500V TO220SIS
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 12 A (Ta) 45 W (Tc) TO-220SIS

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Documentos y medios
Hojas de datos TK12A50E
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 520 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1.2 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 45 W (Tc)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK12A50E,S4X(S
TK12A50E,S5X
TK12A50E,S5X(M
TK12A50ES4X
TK12A50ES4X(S
TK12A50ES4X(S-ND
TK12A50ES5X
TK12A50ES5X-ND
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.27000 $2.27
50 1.83140 $91.57
100 1.64820 $164.82
500 1.28196 $640.98
1,000 1.06220 $1,062.20

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19:21:51 9/18/2018