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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TK100E08N1S1X-ND
Cantidad disponible 126
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TK100E08N1,S1X

Descripción MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 80V 100 A (Ta) 255 W (Tc) TO-220

Documentos y medios
Hojas de datos TK100E08N1
Producto destacado U-MOSⅧ-H MOSFETs
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVIII-H
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 9000pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 255 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.2 mOhm a 50 A, 10 V
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X

22:33:24 2/18/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.16000 $6.16
50 4.95000 $247.50
100 4.51000 $451.00
500 3.65200 $1,826.00
1,000 3.08000 $3,080.00

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