• Cotización solicitada, enviar cotización aquí.
  • Componente que nunca tenemos disponible; pedido especial con cantidad minima ?
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TC58BVG1S3HTAI0-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

TC58BVG1S3HTAI0

Descripción IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Descripción detallada

Memoria IC FLASH - NAND (SLC) 2 Gb (256 M x 8) Paralelo 25ns 48-TSOP I

Documentos y medios
Hojas de datos TC58BVG1S3HTAI0
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Serie Benand™
Empaquetado ? Bandeja ?
Estado de la pieza Activo
Tipo de memoria No volátil
Formato de la memoria Memoria flash
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Capacidad de memoria 2 Gb (256 M x 8)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página 25 ns
Tiempo de acceso 25ns
Interfaz de memoria Paralelo
Voltaje de la fuente 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de operación -40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 48-TFSOP (ancho 0.724", 18.40 mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 48-TSOP I
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 96
Otros nombres TC58BVG1S3HTAI0B4H
TC58BVG1S3HTAI0YCJ

14:34:42 2/24/2018

Enviar comentario