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SSM6N57NU,LF Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 4 A 1W Montaje en superficie 6-µDFN(2x2)
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10 0.42500 $4.25
100 0.29200 $29.20
500 0.20024 $100.12
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM6N57NULFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM6N57NU,LF

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Descripción MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal N (doble) 30 V 4 A 1W Montaje en superficie 6-µDFN(2x2)

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM6N57NU
Producto destacado SSM6N55NU/SSM6N57NU MOSFETs
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Estándar
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 46 mOhm a 2 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 310pF a 10 V
Potencia máxima 1W
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-WDFN
Paquete del dispositivo del proveedor 6-µDFN(2x2)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
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SSM6N57NULF(TCT-ND
SSM6N57NULFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM6N57NULFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 18,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 21,046 - Inmediata
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21:49:40 2/23/2019