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SSM6L09FUTE85LF Arreglo de MOSFET Canal N y P 30 V 400 mA, 200 mA 300mW Montaje en superficie US6
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10 0.39300 $3.93
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500 0.15264 $76.32
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM6L09FUTE85LFCT-ND
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Número de pieza del fabricante

SSM6L09FUTE85LF

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Descripción MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 30 V 400 mA, 200 mA 300mW Montaje en superficie US6

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM6L09FU
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 400 mA, 200 mA
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 700 mOhm a 200 MA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.8 V a 100µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 20pF a 5 V
Potencia máxima 300mW
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor US6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM6L09FUTE85LFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM6L09FUTE85LFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 9,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.10260
  • Digi-Reel® ? : SSM6L09FUTE85LFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,430 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

10:50:15 2/22/2019