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SSM6J511NU,LF Canal P Montaje en superficie 12V 14 A (Ta) 1.25 W (Ta) 6-UDFNB (2x2)
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10 0.43100 $4.31
100 0.29560 $29.56
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM6J511NULFCT-ND
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Cantidad disponible 22,281
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM6J511NU,LF

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Descripción MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 12V 14 A (Ta) 1.25 W (Ta) 6-UDFNB (2x2)

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM6J511NU
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVII
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 14 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 8 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 9.1 mOhm a 4 A, 8 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 47nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3350pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.25 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-UDFNB (2x2)
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-WDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM6J511NULFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM6J511NULFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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  • Precio unitario: $0.13530
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 22,281 - Inmediata
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19:01:33 2/23/2019