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SSM6J507NU,LF Canal P Montaje en superficie 30V 10 A (Ta) 1.25 W (Ta) 6-UDFNB (2x2)
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.49000 $0.49
10 0.41200 $4.12
100 0.30900 $30.90
500 0.22660 $113.30
1,000 0.17510 $175.10

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM6J507NULFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM6J507NU,LF

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Descripción MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 10 A (Ta) 1.25 W (Ta) 6-UDFNB (2x2)

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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVI
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) +20V, -25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1150pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.25 W (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-UDFNB (2x2)
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-WDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM6J507NULFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM6J507NULFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.15500
  • Digi-Reel® ? : SSM6J507NULFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

04:08:44 3/22/2019