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SSM6J501NU,LF Canal P Montaje en superficie 20V 10 A (Ta) 1 W (Ta) 6-UDFNB (2x2)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.54000 $0.54
10 0.42500 $4.25
100 0.29200 $29.20
500 0.20024 $100.12
1,000 0.15017 $150.17

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM6J501NULFCT-ND
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Cantidad disponible 7,753
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM6J501NU,LF

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Descripción MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 10 A (Ta) 1 W (Ta) 6-UDFNB (2x2)

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM6J501NU
Producto destacado Low RDS(ON) P-Channel MOSFET
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVI
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 15.3 mOhm a 4 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2600pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor 6-UDFNB (2x2)
Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-WDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM6J501NULF(TCT
SSM6J501NULF(TCT-ND
SSM6J501NULFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM6J501NULFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 6,000 - Inmediata
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  • Digi-Reel® ? : SSM6J501NULFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,753 - Inmediata
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02:40:11 2/19/2019