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10 0.54400 $5.44
100 0.40790 $40.79
500 0.29912 $149.56
1,000 0.23113 $231.13

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM5G10TU(TE85LF)CT-ND
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Cantidad disponible 2,666
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM5G10TU(TE85L,F)

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Descripción MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 1.5 A (Ta) 500 mW (Ta) UFV

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM5G10TU
Mosfets Prod Guide
Módulos de capacitación sobre el producto Small Signal MOSFET
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIII
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 213 mOhm a 1 A, 4 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.4nC @ 4V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 250pF @ 10V
Característica de FET Diodo Schottky (aislado)
Disipación de potencia (máx.) 500 mW (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor UFV
Paquete / Caja (carcasa) 6-SMD (5 conductores), conductor plano
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM5G10TU(TE85LF)CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Digi-Reel® ? : SSM5G10TU(TE85LF)DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 2,666 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

00:11:11 12/13/2018