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SSM3K36MFV,L3F Canal N Montaje en superficie 20V 500 mA (Ta) 150 mW (Ta) VESM
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1 0.45000 $0.45
10 0.32400 $3.24
100 0.19110 $19.11
500 0.10816 $54.08
1,000 0.08292 $82.92

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM3K36MFVL3FCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM3K36MFV,L3F

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Descripción MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 500 mA (Ta) 150 mW (Ta) VESM

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3K36MFV
Mosfets Prod Guide
Módulos de capacitación sobre el producto General Purpose Discrete Items
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIII
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 500 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 630 mOhm a 200 mA, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.23nC @ 4V
Vgs (máx.) ±10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 46pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 mW (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor VESM
Paquete / Caja (carcasa) SOT-723
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM3K36MFV(TL3T)CT
SSM3K36MFV(TL3T)CT-ND
SSM3K36MFV(TPL3)CT
SSM3K36MFV(TPL3)CT-ND
SSM3K36MFVL3FCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM3K36MFVL3FTR-ND
  • Cantidad mínima: 8,000
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09:52:04 1/23/2019