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SSM3K36MFV,L3F Canal N Montaje en superficie 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) VESM
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.38000 $0.38
10 0.28000 $2.80
25 0.24520 $6.13
100 0.13300 $13.30
250 0.13232 $33.08
500 0.10850 $54.25
1,000 0.08050 $80.50
2,500 0.07070 $176.75

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SSM3K36MFVL3FTR-ND
  • Cantidad mínima: 8,000
  • Cantidad disponible: 48,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.06475
  • Digi-Reel®  : SSM3K36MFVL3FDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 50,817 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SSM3K36MFV,L3F

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Número de pieza de Digi-Key SSM3K36MFVL3FCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SSM3K36MFV,L3F
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Descripción MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) VESM

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Documentos y medios
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIII
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 500mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 630mOhm a 200mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.23nC @ 4V
Vgs (máx.) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 46pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor VESM
Paquete / Caja (carcasa) SOT-723
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SSM3K36MFV(TL3T)CT
SSM3K36MFV(TL3T)CT-ND
SSM3K36MFV(TPL3)CT
SSM3K36MFV(TPL3)CT-ND
SSM3K36MFVL3FCT