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SSM3K329R,LF Canal N Montaje en superficie 30V 3.5 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-23F
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1 0.54000 $0.54
10 0.38000 $3.80
100 0.24930 $24.93
500 0.14730 $73.65
1,000 0.11330 $113.30

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM3K329RLFCT-ND
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Cantidad disponible 182,810
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM3K329R,LF

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Descripción MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 3.5 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-23F

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3K329R
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIII
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 126 mOhm a 1 A, 4 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.5nC @ 4V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 123pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-3 conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM3K329RLFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM3K329RLFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 180,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.09900
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 182,810 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

22:32:32 11/17/2018