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SSM3K329R,LF Canal N Montaje en superficie 30V 3.5 A (Ta) 1W (Ta) SOT-23F
Precio y compra
362,798 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.41000 $0.41
10 0.30500 $3.05
25 0.27520 $6.88
100 0.14500 $14.50
250 0.14352 $35.88
500 0.12850 $64.25
1,000 0.10000 $100.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SSM3K329RLFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 360,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.09150
  • Digi-Reel®  : SSM3K329RLFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 362,798 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SSM3K329R,LF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SSM3K329RLFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SSM3K329R,LF
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Descripción MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 3.5 A (Ta) 1W (Ta) SOT-23F

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3K329R
Producto destacado Server Solutions
Modelos EDA/CAD SSM3K329R by Ultra Librarian
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIII
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 126mOhm a 1A, 4V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.5nC @ 4V
Vgs (máx.) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 123pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-3 conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SSM3K329RLFCT