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SSM3K2615R,LF Canal N Montaje en superficie 60V 2 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-23F
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1 0.54000 $0.54
10 0.45300 $4.53
100 0.33990 $33.99
500 0.24926 $124.63
1,000 0.19261 $192.61

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM3K2615RLFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM3K2615R,LF

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Descripción MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 2 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-23F

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3K2615R
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie π-MOSV
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 3.3 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 300 mOhm a 1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 1 mA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 150pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-3 conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM3K2615RLFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM3K2615RLFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 45,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 45,419 - Inmediata
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21:13:50 12/10/2018