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SSM3K15F,LF Canal N Montaje en superficie 30V 100 mA (Ta) 200 mW (Ta) S-Mini
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10 0.40000 $4.00
100 0.26290 $26.29
500 0.15532 $77.66
1,000 0.11948 $119.48

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM3K15FLFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM3K15F,LF

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Descripción X34 : SMALL LOW ON RESISTANCE NC
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 100 mA (Ta) 200 mW (Ta) S-Mini

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3K15F
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie π-MOSIV
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 Ohm a 10 mA, 4 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 100µA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7.8pF @ 3V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 mW (Ta)
Temperatura de operación 150 °C
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor S-Mini
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM3K15FLFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM3K15FLFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
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  • Digi-Reel® ? : SSM3K15FLFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 12,756 - Inmediata
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08:27:07 2/22/2019