Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM3K15CT(TPL3)CT-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM3K15CT(TPL3)

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Descripción MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 100 mA (Ta) 100 mW (Ta) CST3

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Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
SSM3K15ACTL3FCT-ND SSM3K15ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Cinta cortada (CT) ? 3,912 - Inmediata
$0.39000 1
Documentos y medios
Hojas de datos SSM3K15CT
Mosfets Prod Guide
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie π-MOSVI
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 4 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 Ohm a 10 mA, 4 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 100 µA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7.8pF @ 3V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 100 mW (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor CST3
Paquete / Caja (carcasa) SC-101, SOT-883
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM3K15CT(TPL3)CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM3K15CT(TPL3)TR-ND
  • Cantidad mínima: 10,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.08355

22:28:32 11/17/2018