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SSM3J56MFV,L3F Canal P Montaje en superficie 20V 800 mA (Ta) 150 mW (Ta) VESM
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10 0.40800 $4.08
100 0.24020 $24.02
500 0.13596 $67.98
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM3J56MFVL3FCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM3J56MFV,L3F

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Descripción MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 800 mA (Ta) 150 mW (Ta) VESM

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3J56MFV
Módulos de capacitación sobre el producto General Purpose Discrete Items
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVI
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 800 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.2 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 390 mOhm a 800 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id -
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 100pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 mW (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor VESM
Paquete / Caja (carcasa) SOT-723
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM3J56MFVL3F(TCT
SSM3J56MFVL3F(TCT-ND
SSM3J56MFVL3FCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM3J56MFVL3FTR-ND
  • Cantidad mínima: 8,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.07920
  • Digi-Reel® ? : SSM3J56MFVL3FDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,664 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

09:31:06 12/18/2018