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SSM3J358R,LF Canal P Montaje en superficie 20V 6 A (Ta) 1W (Ta) SOT-23F
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.45000 $0.45
10 0.33600 $3.36
25 0.30240 $7.56
100 0.15950 $15.95
500 0.14136 $70.68
1,000 0.11000 $110.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SSM3J358RLFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.10065
  • Digi-Reel®  : SSM3J358RLFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,608 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SSM3J358R,LF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SSM3J358RLFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SSM3J358R,LF
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Descripción SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 6 A (Ta) 1W (Ta) SOT-23F

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3J358R
Producto destacado Server Solutions
Modelos EDA/CAD SSM3J358R by Ultra Librarian
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVII
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 8V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 22.1mOhm a 6A, 8V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38.5nC @ 8V
Vgs (máx.) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1331pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-3 conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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