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SSM3J356R,LF Canal P Montaje en superficie 60V 2 A (Ta) 1W (Ta) SOT-23F
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.39000 $0.39
10 0.29300 $2.93
25 0.26400 $6.60
100 0.13920 $13.92
500 0.12336 $61.68
1,000 0.09600 $96.00

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  • Cinta y rollo (TR)  : SSM3J356RLFTR-ND
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  • Precio unitario: $0.08784
  • Digi-Reel®  : SSM3J356RLFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 112,668 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SSM3J356R,LF

Hoja de datos
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SSM3J356R,LF
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Descripción MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 60V 2 A (Ta) 1W (Ta) SOT-23F

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3J356R
Producto destacado U-MOSVIII-H Series Industrial MOSFETs
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVI
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 300mOhm a 1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.3nC @ 10V
Vgs (máx.) +10V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 330pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-3 conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SSM3J356RLFCT