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SSM3J355R,LF Canal P Montaje en superficie 20V 6 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-23F
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1 0.48000 $0.48
10 0.33800 $3.38
100 0.22180 $22.18
500 0.13106 $65.53
1,000 0.10082 $100.82

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SSM3J355RLFCT-ND
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Cantidad disponible 13,629
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SSM3J355R,LF

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Descripción SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 6 A (Ta) 1 W (Ta) SOT-23F

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Documentos y medios
Hojas de datos SSM3J355R
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Categorías
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVII
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 30.1 mOhm a 4 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1030pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Ta)
Temperatura de operación 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-23F
Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-3 conductores planos
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SSM3J355RLFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SSM3J355RLFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13,629 - Inmediata
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01:19:00 2/20/2019